“針對(duì)PCBA抗焊墊坑裂特性，以冷球拉力測(cè)試，驗(yàn)證您的高頻高速PCB的介電材料強(qiáng)度”

網(wǎng)絡(luò)通訊包含有線(xiàn)寬頻和無(wú)線(xiàn)傳輸，不斷發(fā)展更為快速的傳輸速度，從3G進(jìn)展到現(xiàn)今的4G/LTE世代，物聯(lián)網(wǎng)(IoT)成為未來(lái)電子產(chǎn)業(yè)的趨勢(shì)，國(guó)際標(biāo)淮組織ITU提出5G時(shí)程規(guī)劃表，預(yù)計(jì)在2020年前完成正式標(biāo)淮規(guī)范后開(kāi)始布建5G商用系統(tǒng)，訊號(hào)傳輸速度和容量的增加帶動(dòng)通訊市場(chǎng)中的云服務(wù)快速發(fā)展。

 

華為數(shù)據(jù)中心研調(diào)機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2015年家庭和企業(yè)等各種新應(yīng)用中的82%已經(jīng)使用云端，2016年的全球電信收入中，IT云服務(wù)收入將達(dá)到4900億美金[1]，另外依國(guó)際研調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner(2016)所提出的最新資料顯示，2016年第二季全球服務(wù)器出貨量較往年同期成長(zhǎng)，由以中國(guó)服務(wù)器品牌聯(lián)想、華為和浪潮出貨量百分比有顯著的二位數(shù)成長(zhǎng)。

圖1-行動(dòng)通訊4G/5G時(shí)間表 (資料來(lái)源: 國(guó)際電信聯(lián)盟ITU[2])

 

根據(jù)工研院2016年的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，銅箔基板材種類(lèi)中，高速板材在2015年的年需求量成長(zhǎng)幅度為6.6%，市場(chǎng)值達(dá)5.76億，隨著全球物聯(lián)網(wǎng)云端應(yīng)用，中國(guó)各地建設(shè)數(shù)據(jù)中心和基地臺(tái)，更帶動(dòng)高速板材和高耐熱板材，預(yù)估2017年的年需求量成長(zhǎng)幅度為4.4%，市場(chǎng)值達(dá)6.44億。[3]因此云端數(shù)據(jù)中心的資料儲(chǔ)存和數(shù)據(jù)處理的服務(wù)器、通信設(shè)備和各終端電子設(shè)備等硬件也須支援日益提升的網(wǎng)路傳輸速度性能，所以在電路設(shè)計(jì)和板材選擇將需考慮高頻高速的通訊傳輸速度，絕緣材采用低介電材料(Dk: 3-4.2 @ 1GHz, Df : <= 0.005 @ 1GHz)和低粗糙度的銅導(dǎo)體(Low Roughness)以降低訊號(hào)傳輸?shù)膶?dǎo)體損失，另外電路板也須具有更高的結(jié)合強(qiáng)度與球徑和間距較小的BGA元件，以及較高的玻璃轉(zhuǎn)移溫度(Tg)在無(wú)鉛PCBA組裝的要求。

 

由于這些終端產(chǎn)品必須長(zhǎng)期的使用與運(yùn)作，除了必要的電氣與熱性能的外，這些基礎(chǔ)設(shè)備與產(chǎn)品也必須考慮更加嚴(yán)格的可靠度要求。并且使用較厚且大的電路板尺寸來(lái)符合基礎(chǔ)建設(shè)類(lèi)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。另外考慮的其他因素包括：

 

1. 以較高的填料含量，減少水分的吸收和熱膨脹系數(shù)

2. 無(wú)鹵阻燃劑的熱機(jī)械可靠性和環(huán)保相容性

3. 較低溫制程中，樹(shù)脂需與銅焊墊和導(dǎo)體有良好黏著性

4. 使用硅表面處理的低介電常數(shù)玻璃纖維。

 

綜合上述因素，較令人擔(dān)憂(yōu)的是，和過(guò)去錫鉛焊料與依常規(guī)使用未填充雙氰胺固化的介電材料相比，這些用來(lái)提高溫度和性能需求的新材料，在專(zhuān)門(mén)針對(duì)信息通信技術(shù)和其他處理階段的印刷電路板組裝過(guò)程中，由于IC封裝的尺寸較大、焊墊直徑較小、迭層更復(fù)雜等，將導(dǎo)致印刷電路板發(fā)生焊墊坑裂失效情形提高，或加快產(chǎn)生產(chǎn)品在運(yùn)輸和使用壽命期間，其潛在導(dǎo)電性細(xì)絲物(CAF)的成長(zhǎng)及熱機(jī)械可靠性的問(wèn)題，另外，如AI人工智慧晶片以陶瓷基板作封裝為主，封裝尺寸也較大可達(dá)70mm×70mm，由于AI晶片需進(jìn)行高運(yùn)算處理，高I/O腳數(shù)會(huì)導(dǎo)致焊墊直徑較小和較細(xì)間距(Fine Pitch)，因此也容易發(fā)生同樣問(wèn)題。

 

在IPC-9708中，焊墊坑裂定義是介電材料在印刷電路板中受機(jī)械應(yīng)力產(chǎn)生的裂紋或表面黏著元件在焊墊下方的斷裂，最常見(jiàn)的是在BGA封裝，如圖1[5]。在印刷電路板組裝過(guò)程中，受到機(jī)械板彎或落下沖擊的應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致以下幾種在錫球附近的失效模式，發(fā)生這些失效模式的可能原因包含錫球焊接冶金、封裝類(lèi)型、結(jié)構(gòu)、組裝電路板的組件與焊墊尺寸比例、PCB材料等，在不同的應(yīng)力下，通常這些失效模式有可能會(huì)同時(shí)發(fā)生。

圖1 – 焊墊坑裂在具結(jié)合力的介電材料失效裂紋往下到玻璃纖維的例子[5]
 

根據(jù)IPC-9708標(biāo)淮規(guī)定各種不同的焊墊坑裂失效模式圖例如下：

焊墊剝離(圖2)：

錫球焊墊與錫球剝離 ; 剝離可能包括破裂的基礎(chǔ)材料。這種失效模式是一個(gè)(銅箔)接合類(lèi)型失效，相對(duì)于焊墊坑裂，它是一個(gè)介電層中黏合的失效模式。

圖2-焊墊剝離
 

導(dǎo)體開(kāi)裂(圖3)：

印刷電路板焊墊被剝離，但仍部分連接到導(dǎo)體，且黏合失效。

圖3-導(dǎo)體開(kāi)裂
 

玻璃纖維曝露的坑裂(圖4)：

印刷電路板焊墊坑裂和底層的玻璃纖維曝露。

圖4-玻璃纖維曝露的坑裂
 

玻璃纖維沒(méi)有裸露的坑裂(圖5)：

印刷電路板焊墊的坑裂，底層樹(shù)脂暴露，但沒(méi)有見(jiàn)到玻璃纖維，一種介電材料中樹(shù)脂的黏著失效。

圖5-玻璃纖維沒(méi)有裸露的坑裂

 

為了減少焊墊坑裂的發(fā)生，有必要以機(jī)械應(yīng)力來(lái)測(cè)試各介電材料的抗性。因此，開(kāi)發(fā)了各種驗(yàn)證測(cè)試方法，如機(jī)械板彎/彎曲測(cè)試、聲射檢測(cè)、落下沖擊、冷球拉力及熱針拉力等。前三種測(cè)試目的是以組裝電路板為測(cè)試載體，而最后兩種是為了以印刷電路板為測(cè)試載體。組裝電路板載體的測(cè)試通常在不同的應(yīng)變和應(yīng)變率下會(huì)同時(shí)產(chǎn)生多種失效模式，因此需花費(fèi)更多時(shí)間來(lái)分離各單獨(dú)失效模式的形成原因，并從中確定裝配中最薄弱的位置。

 

由于包含較高的動(dòng)力加速度和許多變量，如焊接冶金、封裝類(lèi)型、結(jié)構(gòu)、PCBA組裝電路板的組件與焊墊尺寸比例及材料等，這也意味著PCBA組裝電路板級(jí)別測(cè)試并沒(méi)有時(shí)間及成本效益。而焊墊載體測(cè)試中，它更易于控制焊墊下方介電層的失效模式，并定義焊墊、樹(shù)脂和玻璃纖維的間的黏合力。在此研究中所提及的這兩種焊墊級(jí)別的測(cè)試，因?yàn)槔淝蚶υ囼?yàn)過(guò)程中沒(méi)有本身引起額外的變異熱量介入試驗(yàn)，所以試驗(yàn)過(guò)程中產(chǎn)生的變異數(shù)比熱針拉力試驗(yàn)更容易控制。

 

這項(xiàng)研究中，介電材料的3種基本類(lèi)型包括有：

1. 高玻璃轉(zhuǎn)移溫度(無(wú)酚醛填料)FR4

2. 高玻璃轉(zhuǎn)移溫度(無(wú)鹵)FR4

3. 高速材料類(lèi)。

這3類(lèi)材料在冷球拉力（CBP）的試驗(yàn)所造成焊墊坑裂的效果會(huì)有較佳的敏感性。

 

實(shí)驗(yàn)的設(shè)置和步驟

測(cè)試板

表1列出了本研究中所使用來(lái)自不同材料制造商的介電材料的機(jī)械特性與特點(diǎn)，這些材料都是專(zhuān)門(mén)為高性能服務(wù)器、網(wǎng)路和通信應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該材料是由數(shù)個(gè)制造商提供，并且全部都符合無(wú)鉛工藝規(guī)范要求。該迭層包括6層的介電材料，所有的電路板層迭在相同的印刷電路板上。最終的測(cè)試板尺寸為60mm（長(zhǎng)）×60mm（寬）×2.2mm（厚）。并用化錫做表面處理。

銅箔 基板	材料類(lèi)型	樹(shù)脂含量 (%)	1OZ的剝離強(qiáng)度 (lb/in)	彎曲強(qiáng)度 (MPa)	制造商
A	高玻璃轉(zhuǎn)移溫度(無(wú)鹵)FR4	53	4.5	460~500	M1
B	高速材料	53	4.0	420~450	M1
C	高玻璃轉(zhuǎn)移溫度(無(wú)鹵)FR4	53	5.1~6.8	>400	M3
D	高速材料	53	5.5	400	M4
E	高玻璃轉(zhuǎn)移溫度無(wú)填料的酚醛FR4	53	8~11	>380	M2
F	高速材料	53	5~7	>350	M2

表1 -不同介電材料的特性與特點(diǎn) (* IPC4101C規(guī)格表與制造商的數(shù)據(jù))

 

每個(gè)測(cè)試板有5個(gè)測(cè)試區(qū)域（10mm×10mm），每個(gè)區(qū)域具有不同焊墊尺寸，范圍從14mil至18mil以1mil遞增。焊墊在設(shè)計(jì)與實(shí)際的直徑有差異，因此必須先測(cè)量并選取實(shí)際直徑為16mil的焊墊進(jìn)行試驗(yàn)來(lái)減少變異。其中所有的焊墊皆以非阻焊層限定(NSMD)設(shè)計(jì)，并且所有焊墊與阻焊層的間保持5mil的間隙(如圖6)，使焊墊與焊料球有最佳的結(jié)合空間。
 

圖6-測(cè)試板的設(shè)計(jì)

 

實(shí)驗(yàn)流程

圖7的示意圖說(shuō)明整個(gè)實(shí)驗(yàn)流程，必須用光學(xué)顯微鏡（OM）進(jìn)行測(cè)定所有的焊墊直徑，并選取直徑在16mil ±1％范圍的焊墊來(lái)做研究試驗(yàn)。
 

圖7-實(shí)驗(yàn)流程

 

植球

首先將測(cè)試板放置到一個(gè)固定治具上，利用網(wǎng)板將SAC錫膏印刷至測(cè)試板的焊墊上，再使用20mil直徑的SAC錫球，然后利用落球網(wǎng)板使錫球落在錫膏上。錫球附著于均勻涂布的錫膏后，移除落球網(wǎng)板(參見(jiàn)圖8-(a) & 9-(b))。再經(jīng)過(guò)回流焊爐烘烤并在回流焊過(guò)程中加入氮?dú)夥乐箻悠繁谎趸?(參見(jiàn)圖8-(c))。
 

圖8 – (a)錫膏涂布 (b)落球位置 (c)經(jīng)回流焊后，錫球與測(cè)試板的結(jié)合
 

圖9表示植球的合格參考標(biāo)淮。任何一個(gè)經(jīng)回流焊的后的錫球下方如有露銅，結(jié)合強(qiáng)度會(huì)受影響，故將排除該球進(jìn)行冷球拉力試驗(yàn)。只有焊墊被焊料完全覆蓋與結(jié)合才認(rèn)為是可以接受的，如圖9-(b)和9-(c)所示。

圖9 – 植球的參考標(biāo)淮
 

冷球拉力試驗(yàn)的設(shè)置

圖10的冷球拉力設(shè)備裝置可使用同一種夾具操作測(cè)試，并用于一定范圍內(nèi)各種不同尺寸的錫球。

圖10 -(a)冷球拉力測(cè)試設(shè)備 (b)測(cè)試板固定臺(tái)(c)拉球夾具

 

收集數(shù)據(jù)

在焊墊直徑16mil的陣列中選取50個(gè)點(diǎn)做拉力測(cè)試，每種材料有5片測(cè)試板，每片測(cè)試板選擇50個(gè)點(diǎn)，所以共有250點(diǎn)做拉力測(cè)試數(shù)據(jù)，測(cè)試后再以統(tǒng)計(jì)軟件來(lái)做分析統(tǒng)計(jì)。測(cè)試后產(chǎn)生的失效模式會(huì)根據(jù)材料 、制程流程和幾何設(shè)計(jì)而有所不同。這些失效模式包括：
1. 錫球斷裂

2. 金屬合金IMC層的斷裂

3. 印刷電路板的焊墊坑裂，或是以上失效模式的綜合(見(jiàn)圖11)。
 

本研究的重點(diǎn)方面在于印刷電路板的焊墊坑裂失效模式，失效種類(lèi)可以分為4類(lèi)，包括：

1. 焊墊剝離

2. 導(dǎo)體開(kāi)裂

3. 玻璃纖維曝露的坑裂

4. 玻璃纖維沒(méi)有裸露的坑裂 ，(參見(jiàn)圖2~圖5)。
 

裂紋本身會(huì)依循阻力最小的路徑延伸來(lái)減輕應(yīng)力，一開(kāi)始可能沿著焊墊邊緣穿過(guò)整個(gè)樹(shù)脂向下蔓延，或集結(jié)在焊墊下方的樹(shù)脂和玻璃纖維的間，或斷裂至焊墊（導(dǎo)體）下方的介電層。這個(gè)坑裂失效可能不會(huì)馬上導(dǎo)致電路斷路，但的后可能在運(yùn)輸和持續(xù)的使用下導(dǎo)致裂紋擴(kuò)展引起電氣故障。

 

結(jié)果與討論

冷球拉力的典型失效模式

圖11 – 冷球拉力測(cè)試過(guò)程中的典型失效模式
 

介電材料的設(shè)計(jì)有許多變數(shù)，如：樹(shù)脂成分、固化劑、玻璃樹(shù)脂含量、填料的含量等，找出哪個(gè)才是提高抗斷裂性以減輕失效的最大因子是相當(dāng)不容易的。從斷裂力學(xué)的觀點(diǎn)來(lái)看，在基質(zhì)中不同成分的間的黏合力是難以透過(guò)這種測(cè)試方法來(lái)量化。原因是當(dāng)裂紋發(fā)生時(shí)，樹(shù)脂材料本身可以吸收大部分?jǐn)嗔涯芰浚芽p深度分布的失效模式是隨機(jī)的。因此，單靠一種測(cè)試的基礎(chǔ)上，我們只能斷定改善樹(shù)脂本身的斷裂韌性是一個(gè)提升材料性能的方向。遺憾的是，對(duì)這些材料并沒(méi)有一套標(biāo)淮的方法或規(guī)定可用于測(cè)試抗斷裂韌性。因此只能使用一般的機(jī)械性質(zhì)以尋求關(guān)聯(lián)性，如：彎曲模數(shù)、彎曲強(qiáng)度及剝離強(qiáng)度。

 

一、Halogen-free介電材料結(jié)果與討論

冷球拉力（CBP）試驗(yàn)的目的是藉由從焊墊上的焊球垂直往上拉動(dòng)，來(lái)觀察焊墊(Cu Foil)與其下面介電材料的間斷裂的強(qiáng)度。雖然這項(xiàng)測(cè)試不足以確認(rèn)裂紋的起始點(diǎn)與擴(kuò)展軌跡，但可以量化整個(gè)斷裂過(guò)程的總能量。

 

圖12和表2顯示6種材料在冷球拉力試驗(yàn)中的斷裂強(qiáng)度。我們可以觀察到這六種材料在結(jié)果上有些微的不同，其中B類(lèi)材料可觀察到較低的斷裂強(qiáng)度(約880克)。而這六種材料的標(biāo)淮差都在可接受范圍內(nèi)，使得其所擁有的斷裂強(qiáng)度平均值是可以作為比較的。并且從這6種材料各拿一片去做橫截面，確定其中沒(méi)有焊點(diǎn)缺陷的存在，如：空焊、冷焊、空洞等，因?yàn)檫@些因素會(huì)影響整個(gè)試驗(yàn)的結(jié)果(見(jiàn)圖11)。

 

高玻璃轉(zhuǎn)移溫度(無(wú)酚醛填料)FR4(材料E)的拉力強(qiáng)度優(yōu)于高玻璃轉(zhuǎn)移溫度(無(wú)鹵)FR4(材料A、C)與高速材料類(lèi)(材料B、D、F)，這說(shuō)明了較少的樹(shù)脂填料含量可能增強(qiáng)附著力或降低樹(shù)脂的脆性。表1還顯示出材料E（制造商M2）有最高的剝離強(qiáng)度（對(duì)于銅有很好的附著力）。由圖12可以觀察到E材料的失效為IPC-9708規(guī)范中”玻璃纖維曝露的坑裂”失效模式(見(jiàn)圖4)。這種失效類(lèi)型可能是較為理想的失效模式，顯現(xiàn)其對(duì)于焊墊坑裂有較高的抗性。

 

相較的下，在這項(xiàng)研究中表現(xiàn)最差的B材料（高速材料）也有類(lèi)似的失效模式，但玻璃纖維斷裂的區(qū)域比樹(shù)脂大。人們一般認(rèn)為較高的填料含量樹(shù)脂是降低電介質(zhì)的介質(zhì)常數(shù)和熱膨脹系數(shù)的理想設(shè)計(jì)，但其副作用是增加脆性和彈性系數(shù)或減少樹(shù)脂對(duì)玻璃纖維的附著力。表1說(shuō)明材料B（制造商M1）因其更脆的材料、銅箔特性與低黏附性而顯示出較低的剝離強(qiáng)度。另一方面，D與F這兩種高速材料為不同制造商提供(M2與M4)雖然與B材料有相同的樹(shù)脂含量(皆為53%)，但冷球拉力與剝離強(qiáng)度皆比B材料高。所以在填裝過(guò)程中，樹(shù)脂的化學(xué)特性會(huì)影響其密合度。(注：填料的質(zhì)量比例是未知的，但可以再進(jìn)一步研究討論。)

 

A和C材料為高Tg無(wú)鹵FR4s設(shè)計(jì)但來(lái)自不同制造商（M1和M3），其冷球拉力測(cè)試強(qiáng)度相似，但失效模式卻不同(圖12)。在A材料的失效模式是類(lèi)似于上面提到的那些帶有部分外露加上樹(shù)脂破裂的玻璃纖維，而C材料中的失效位置似乎在樹(shù)脂層中，是屬于”玻璃纖維沒(méi)有裸露的坑裂”的失效類(lèi)型(圖5)。的后使用橫截面觀察側(cè)面并進(jìn)一步分析(圖13) 可以得出結(jié)論：失效模式仍然是在圖5的類(lèi)型并表示出不同的玻璃纖維結(jié)構(gòu)。阻燃劑從臭化類(lèi)型轉(zhuǎn)換到無(wú)鹵類(lèi)型通常會(huì)降低樹(shù)脂對(duì)銅和玻璃纖維的黏著性。為了提高性能，建議修改樹(shù)脂的化學(xué)成分或施加偶合劑到玻璃纖維（浸漬的前）來(lái)增加黏合力。

圖12- 6種介電材料的冷球拉力試驗(yàn)強(qiáng)度
 

銅箔 基板	制造商	材料類(lèi)型	標(biāo)淮差	平均值 (克)
A	M1	高玻璃轉(zhuǎn)移溫度(無(wú)鹵)FR4	84.76	1104.2
B	M1	高速材料	66.7	880.5
C	M3	高玻璃轉(zhuǎn)移溫度(無(wú)鹵)FR4	48.6	1019.2
D	M4	高速材料	64.2	1086.9
E	M2	高玻璃轉(zhuǎn)移溫度無(wú)填料的酚醛FR4	78.6	1127.5
F	M2	高速材料	66.4	1091.6

表2 – 冷球拉力測(cè)試的數(shù)據(jù) (樣品數(shù)：250顆/材料)
 

 

圖13- 6種材料在冷球拉力試驗(yàn)前的橫截面

圖14- 冷球拉力試驗(yàn)后，光學(xué)顯微鏡下的失效模式
 

 

圖15-冷球拉力試驗(yàn)后，C材料的橫截面?zhèn)纫晥D

 

二、超低損耗介電材料 (Dk: 3-4.2 @ 1GHz, Df : <= 0.005 @ 1GHz)的應(yīng)用與討論

參考自作者于2017年2月在IPC-APEX發(fā)表的Cold Ball Pull Test Efficiency for the PCB Pad Cratering Validation with the Ultra Low Loss Dielectric Material論文[6]，此篇論文提到即使印刷電路板使用相同的介電材料和電路板的迭構(gòu)，并依照同一份電路板設(shè)計(jì)圖和板材所制作的電路板，其成品仍會(huì)因?yàn)椴煌碾娐钒鍙S制程設(shè)定影響而會(huì)有所不同，表3為銅焊墊的實(shí)際量測(cè)值(從16到18mils)，測(cè)試板材是由4間板廠所提供的印刷電路板，經(jīng)量測(cè)后選擇銅焊墊大小的實(shí)際值接近16mils進(jìn)行冷球拉力測(cè)試。
 

表 3– 選擇PCB焊墊大小進(jìn)行冷球拉力試驗(yàn)[6]
 

在先前部分介紹到IPC-9708標(biāo)淮規(guī)定各種不同的焊墊坑裂失效模式可作為介電材料強(qiáng)度判斷的依據(jù)。以下列出不同材料在各別板廠的表現(xiàn)評(píng)比。

 

1. G 廠：G3>GL>GE>GY

2. H 廠：H1>HW>H3>H5>HL>HY

3. V 廠：VR>VY>VE

4. T 廠：TY>TR>T8>TE>T2
 

由圖16的箱型圖顯示每種介電材料的平均數(shù)和標(biāo)淮差，從數(shù)據(jù)可以看到雖然是相同的材料，但在不同板廠制作下有不同的表現(xiàn)結(jié)果；反之，不同的材料在同一版廠制作下的結(jié)果。例如，材料TY的強(qiáng)度在板廠T的制程和板廠G的制程相比之下，在板廠T的制程下表現(xiàn)顯著優(yōu)秀。另外，在相同的G板廠制程下，材料G3的強(qiáng)度表現(xiàn)比材料GY優(yōu)秀。板廠制程設(shè)定的不確定因素和銅焊墊的大小皆會(huì)影響電路板的表現(xiàn)性，因此藉由材料強(qiáng)度的評(píng)比結(jié)果可了解介電材料在每間板廠的強(qiáng)度表現(xiàn)。電路板廠可藉由此冷球拉力試驗(yàn)評(píng)估哪種介電材料在廠內(nèi)制程下有最好的表現(xiàn)，以降低因焊墊坑裂所導(dǎo)致的退貨率；但是也因?yàn)榘鍙S制程設(shè)定的變數(shù)影響，無(wú)法就結(jié)果判定不同介電材料表現(xiàn)性的強(qiáng)弱。
 

圖 16-冷球拉力試驗(yàn)后，介電材料強(qiáng)度的表現(xiàn)性[6]

 

結(jié)果

參考自IPC-9708的冷球拉力測(cè)試是用來(lái)描述不同介電材料的焊墊坑裂性能。謹(jǐn)慎執(zhí)行此測(cè)試實(shí)驗(yàn)且沒(méi)有出現(xiàn)異常結(jié)果時(shí)，即可證明這是可再現(xiàn)的測(cè)試方法，意味著在實(shí)務(wù)上這是一個(gè)良好的測(cè)試方法。雖然此研究無(wú)法明確的指出介電材料在通過(guò)何種冷球拉力強(qiáng)度后是有能力承受在產(chǎn)品實(shí)際的運(yùn)送及使用中的電路板焊墊坑裂，但能夠：

1. 提供在樹(shù)脂系統(tǒng)的選擇和設(shè)計(jì)的指標(biāo)，這些要素將影響焊墊坑裂相關(guān)的敏感性，從而使終端用戶(hù)能夠選擇最佳的材料。

2. 讓電路板廠可藉由冷球拉力試驗(yàn)評(píng)估數(shù)種材料在廠內(nèi)制程設(shè)定下，選擇有最佳表現(xiàn)性的材料。還有其他的測(cè)試方法與此研究相關(guān)，如：沖擊試驗(yàn)、球形彎曲測(cè)試、動(dòng)態(tài)力學(xué)分析(DMA)等在持續(xù)進(jìn)行。